镓芯光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外探测器。宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。目前，镓芯光电已建成完整的器件工艺线和高标准的器件检测实验室，并在国内首先批量供应多型号高灵敏度GaN和SiC紫外探测器产品。